Le transistor à effet de champ

INTRODUCTION.

LE TRANSISTOR FET À JONCTION.

LE TRANSISTOR MOS FET.

INTRODUCTION.
Du point de vue théorique, on peut imaginer d'autres dispositifs similaires, mais caractérisés par un mode d'attaque différent : par exemple, une source de courant commandée par une tension. Le principe reste le même (une source commandée), seule la nature du signal de commande change.
Cet objet théorique existe : la famille des transistors à effet de champ (Field Effect Transistor en anglais, FET) répond à la définition précédente : ce sont des sources de courant commandées en tension.
De ce point de vue, on conçoit aisément que l'étude des FET va être en tous points similaires à celle des transistors à jonction, et ce, malgré un fonctionnement microscopique complètement différent.
Il ne faudra donc surtout pas se polariser sur les différences de structure et de fonctionnement prises du point de vue cristallographique, mais voir au contraire toutes les similitudes existant avec le transistor à jonction : polarisation, conversion courant / tension, amplification en régime des petits signaux
Ces similitudes sont dues aussi en grande partie au fait qu'on utilise les mêmes outils de modélisation pour les deux composants.
LE TRANSISTOR FET À JONCTION.
1. PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT.
  1. Constitution d'un FET.
    De même qu'il existe deux types de transistors bipolaires (NPN et PNP), le FET à jonction (ou JFET) est décliné en deux versions : le canal N et le canal P .
    Le FET à jonction canal N est constitué d'une mince plaquette de silicium N qui va former le canal conducteur principal. Cette plaquette est recouverte partiellement d'une couche de silicium P de manière à former une jonction PN latérale par rapport au canal (Fig. 1.).
    
    Fig. 1. FET à jonction à canal N (principe).
    Le courant circulera dans le canal, rentrant par une première électrode, le drain et sortant par une deuxième, la source . L'électrode connectée à la couche de silicium P sert à commander la conduction du courant dans le canal ; on l'appelle la grille , par analogie avec l'électrode du même nom présente sur les tubes à vides.
    Le transistor FET fonctionnera toujours avec la jonction grille-canal polarisée en inverse.
  2. Phénomène de pincement.
    - Tension drain-source nulle.
      Pour simplifier le raisonnement, nous allons considérer dans un premier temps un montage (Fig. 2.) où le canal est court-circuité (V_DS = 0) et où la grille est à un potentiel négatif par rapport au canal (jonction polarisée en inverse).
      Nous avons vu dans le chapitre consacré à la diode que le fait de polariser la jonction en inverse créait une zone vide de porteurs, appelée zone de déplétion : les trous de la zone P se recombinent avec les électrons de la zone N, créant ainsi une zone neutre (il n'y a plus de porteurs pour assurer la conduction électrique) d'épaisseur w = k|V_GS |.
      
      Fig. 2. Modulation de conductivité à V_DS = 0.
      Il reste dans le canal N une zone conductrice d'épaisseur (h-w). La résistance entre drain et source sera alors égale à :
      
      où b est la largeur du canal et sa résistivité. La résistance R_DS varie donc avec la tension (inverse) appliquée sur la jonction grille-canal. A la limite, pour V_GS = V_P , appelée tension de pincement, la zone de déplétion ferme le canal : il n'y a plus de porteurs, et la résistance entre source et drain tend vers l'infini (Fig.3.) : c'est le phénomène de pincement.
      
      Fig. 3. Phénomène de pincement.
    - Tension drain-source non nulle.
      Si on reprend le montage précédent, et qu'en plus on applique une tension positive entre le drain et la source, le gradient de potentiel présent tout le long du barreau de silicium constituant le canal va modifier le profil de la zone de déplétion. Vers le drain, la tension grille-canal sera supérieure (en valeur absolue) à ce qu'elle est vers la source. En effet, on a la relation (attention, tous les termes sont négatifs) :
      
      En conséquence, la zone isolante présente une forme similaire à celle donnée sur la figure 4.
      
      Fig. 4. Modulation de conductivité pour V_DS non nul.
      Sur cette figure, le canal n'est pas complètement bouché. Si on augmente la tension V_DS , à V_GS donnée, l'épaisseur isolante w₂ va augmenter ; à partir d'une certaine tension V_DS , correspondant à une largeur du canal très faible, le courant va tendre vers une valeur constante, car deux phénomènes contradictoires vont s'équilibrer :
      
      une augmentation de V_DS devrait entraîner un accroissement du courant dans le canal (loi d'ohm),
      
      mais cette augmentation de V_DS va accroître la tension VDG, qui aura pour effet d'agrandir la zone de déplétion et entraîner une diminution de la largeur du canal, donc, de sa résistivité.
      Un accroissement de la tension V_DS ne va donc pas entraîner une augmentation du courant dans le canal (le courant de drain), mais une augmentation de la résistivité de ce canal. Le courant de drain va tendre vers une valeur constante.
2. CARACTÉRISTIQUES.
  A partir de ce qui a été dit dans le paragraphe précédent, on peut déjà deviner trois choses :
  
  Si V_GS = V_P , dans tous les cas, quelle que soit la tension V_DS , le courant dans le canal sera nul. En effet, une tension V_DS non nulle ne fera que renforcer le phénomène de pincement.
  
  Le courant de drain deviendra d'autant plus vite constant que la tension |V_GS | sera plus élevée.
  
  Le courant constant maximum sera obtenu pour une tension grille-source nulle.
  Les caractéristiques du FET s'en déduisent aisément.
  1. Caractéristique d'entrée.
    Nous avons vu que le FET sera toujours utilisé avec une polarisation grille-canal négative, soit V_GS < 0. La caractéristique correspondante est donc celle d'un interrupteur ouvert : courant nul quelque soit la tension appliquée. En pratique, on aura un très léger courant de fuite caractéristique d'une jonction diode polarisée en inverse. Ce courant double tous les 6°C pour le silicium. A température ambiante, il sera inférieur au µA, et plutôt de l'ordre de quelques nA.
  2. Caractéristiques de sortie et de transfert.
    La figure 5 représente les caractéristiques de transfert I_DS = f (V_GS) à gauche, et de sortie I_DS = f (V_DS , V_GS) à droite.
    
    Fig. 5. Caractéristiques du FET à jonction.
    La caractéristique de sortie peut être décomposée en deux grandes zones :
    
    la partie correspondant au fonctionnement à courant constant (zone de pincement), et qui servira à l'amplification de petits signaux de la même manière que pour le transistor bipolaire.
    
    la zone ohmique (en grisé sur la figure 5.) : dans cette zone, le FET est assimilable à une résistance dont la valeur est fonction de la tension V_GS . On ne représente que la partie positive de la caractéristique, mais en fait, le canal conducteur peut laisser passer le courant dans les deux sens (c'est juste un barreau de silicium conducteur, ce n'est pas une jonction. Le seul défaut qui limite les valeurs négatives de V_DS est le fait qu'au delà d'une certaine tension négative de drain, la tension grille-drain devient positive, la jonction grille-canal étant alors polarisée en direct ; le FET ne fonctionne plus correctement. Néanmoins, et à condition de rester dans le domaine des petits signaux (quelques dizaines à quelques centaines de mV), on peut considérer le FET comme une résistance dont la valeur est pilotée en tension.
    On notera que les caractéristiques de sortie ont une allure connue : on retrouve celles du transistor bipolaire. La principale différence provient du mode d'attaque, comme indiqué en introduction : le FET est commandé en tension, et non en courant, comme l'est le bipolaire.
    Ce réseau de courbes est borné en bas (I_D = 0, V_GS = V_P ), et en haut (I_D = I_DSS , V_GS = 0). I_DSS est la valeur maxi de courant de drain qui pourra circuler dans le composant. Cette valeur est de l'ordre de quelques mA à quelques dizaines de mA pour les FETs courants. La tension de pincement V_P est de l'ordre de quelques volts (typiquement de -2 à -8V).
    La zone ohmique est sensiblement différente de la zone de saturation du transistor bipolaire. La fonction résistance commandée est spécifique au FET et ne peut pas être réalisée de cette façon avec un transistor bipolaire.
    Pour une même référence de FET (2N3819 par exemple), la dispersion de I_DSS et V_P sera très importante, plus encore que la dispersion observée pour les caractéristiques des transistors bipolaires. Ceci fait que ces transistors ne pourront pas être utilisés sans précautions dans des montages pointus, ni à plus forte raison, dans des montages de précision.
    La caractéristique de transfert I_DS = f (V_GS) résume bien les limites du FET : courant de drain nul pour une tension V_GS égale à la tension de pincement V_P, et courant maxi I_DSS pour une tension V_GS nulle. La courbe est assez bien approximée par une parabole d'équation :
    
    La dérivée de cette loi va nous renseigner sur l'aptitude du transistor à amplifier : en effet, pour un courant I_DS donné, la dérivée (qu'on appelle judicieusement la pente du FET) va être égale à :
    
    Cette pente est le rapport de la variation du paramètre de sortie (I_DS ) et du paramètre d'entrée (V_GS ) ; elle est bien représentative de l'amplification d'un signal d'entrée. La valeur maximum, atteinte pour V_GS = 0, vaut :
    
    On peut alors exprimer l'équation [4] sous la forme condensée suivante :
    
    La pente du FET est en moyenne relativement faible, soit quelques mA/V, au mieux quelques dizaines de mA/V. Elle dépend de la tension V_GS (la tension de polarisation) : comme pour le transistor bipolaire, l'amplification ne sera pas linéaire ; on fera là aussi des hypothèses de fonctionnement en petits signaux.
    On peut d'ailleurs faire un parallèle avec l'amplification du transistor bipolaire. A elle seule, la caractéristique de transfert du FET correspond à la caractéristique globale entrée + transfert du bipolaire. En effet, dans ce dernier, la vraie caractéristique de transfert est une transformation courant-courant I_C =f (I_B), la caractéristique d'entrée opérant la conversion tension-courant. De ce point de vue, on peut considérer le bipolaire comme un générateur de courant commandé en tension (la différence avec le FET est qu'il consomme du courant). La pente du transistor bipolaire (le rapport I_C / V_BE) vaut alors :
    
    Pour un courant collecteur de 1,3mA et un de 150, le h_11e vaut 3k, ce qui fait une pente d'environ 50mA/V.
    La pente du transistor bipolaire est environ 5 à 10 fois plus élevée que celle d'un FET typique. L'amplification qu'on pourra attendre d'un FET sera plus faible que celle obtenue dans les mêmes conditions avec un bipolaire.
3. REPRÉSENTATION. SCHÉMA ÉQUIVALENT.
  1. Symboles des FETs.
    Le FET est représenté par les symboles suivants :
    
    Fig. 6. Symboles électriques des FETs.
    La flèche représente la jonction grille / canal, et son sens indique quel serait le sens du courant si la jonction était passante.
    Pour le FET canal N, le courant I_D circulera dans le sens représenté sur la figure 6, la tension V_DS sera positive et la tension V_GS négative.
    Pour le FET canal P, la tension V_DS sera négative et la tension V_GS positive. Le courant de drain circulera de la source vers le drain.
  2. Schéma équivalent en petits signaux.
    Ce schéma, comme pour le transistor bipolaire, concerne un composant convenablement polarisé : le fonctionnement se fera dans la zone de pincement.
    On construit le schéma équivalent de la même manière que pour le transistor bipolaire.
    
    Fig. 7. Schéma équivalent alternatif petits signaux.
    Le schéma fig. 7. est celui relatif au FET canal N. L'entrée se fait sur la grille. On note un trou entre grille et source : l'impédance grille-source est très élevée, on la considère en première approximation comme infinie. En sortie, on retrouve les mêmes éléments que pour le transistor bipolaire : une source de courant (commandée par la tension V_GS , et non par un courant), et sa résistance parallèle . Comme pour le transistor bipolaire, cette résistance est très élevée (plusieurs centaines de k ), et on la négligera dans toutes les applications courantes.
4. MONTAGE SOURCE COMMUNE.
  Ce montage est le pendant du montage émetteur commun pour le bipolaire. Le fonctionnement sera donc totalement similaire. Un montage drain commun existe aussi, qui est le pendant du montage collecteur commun du bipolaire ; ce montage n'a toutefois que peu d'intérêt, car le FET est un composant à très forte impédance d'entrée, et ce, on va le voir, même lorsqu'il est utilisé en source commune.
  Nous allons voir le montage source commune pour le FET de type N. Le montage à canal P s'en déduit aisément.
  1. Polarisation.
    Il faut tout d'abord noter que la zone ohmique est relativement étendue, surtout vers les fortes valeurs de I_DS . On veillera à polariser le composant pour que la tension de repos V_DSo ne soit pas trop faible, de manière à ce qu'il fonctionne dans la zone générateur de courant .
    
    Fig. 8. Montage source commune.
    Nous avons vu lors de l'explication du principe de fonctionnement du FET que le bon fonctionnement nécessitait une alimentation positive pour polariser le canal drain-source, et une alimentation négative pour polariser la grille par rapport à la source. Ce raisonnement est valable si on place la source à la masse.
    En pratique, on va relier la grille à la masse par une résistance de forte valeur ; comme le courant qui circule dans la grille est très faible (courant de fuite), le potentiel de la grille va être pratiquement nul. Il reste à trouver une astuce pour mettre la source à un potentiel positif, ce qui fera V_SG positif, donc V_GS négatif. Pour ce faire, on intercale une résistance entre la source et la masse. Le courant de drain va circuler dans cette résistance et élever le potentiel de la source par rapport à la grille. Deux phénomènes vont alors se contrarier :
    
    Le courant de drain est maxi pour V_GS = 0 ; au démarrage, on aura donc un fort courant dans la résistance de source, donc une forte tension.
    
    mais, au fur et à mesure que la tension va augmenter, la tension |V_GS | va augmenter aussi, ce qui va avoir pour effet de limiter le courant de drain.
    Les deux phénomènes vont s'équilibrer. La valeur du courant de drain va dépendre des caractéristiques du FET (I_DSS et V_P ), et de la résistance de source : c'est cette dernière qui nous permettra d'ajuster le courant de drain.
    La tension de polarisation sur R_S sera de l'ordre de quelques volts (typiquement 1 à 3V).
    Il ne reste plus qu'à alimenter le drain à l'aide d'une source de tension, en intercalant une résistance R_D qui aura pour fonction (comme pour le montage émetteur commun du bipolaire) la conversion courant / tension permettant d'exploiter le signal de sortie.
    On choisira le courant de drain (ou la résistance R_D ) de manière à ce que la chute de tension dans cette résistance soit égale à la tension de polarisation V_DSo , ceci pour assurer un maximum de dynamique au signal alternatif.
    On rajoute un condensateur de découplage C_D sur R_S pour que la source soit effectivement à la masse en alternatif. Sans ce condensateur, on aurait un effet de contre réaction qui affaiblirait beaucoup le gain en tension.
    Vu que la grille est au même potentiel que la masse (autant dire zéro !), le générateur d'entrée, s'il délivre uniquement un signal alternatif, peut être couplé directement à la grille, sans condensateur de liaison. La sortie se faisant sur le drain, en revanche nécessite un condensateur de liaison pour ne pas perturber les étages avals.
  2. Fonctionnement en petits signaux.
    Nous avons vu que la caractéristique de transfert du FET n'est pas linéaire : nous allons donc être obligés de travailler en petits signaux pour pouvoir linéariser le montage et utiliser les lois fondamentales de l'électricité.
    - Schéma équivalent.
      Le schéma équivalent se construit de la même manière que pour les montages à transistors bipolaires. On utilise le schéma équivalent du FET de la figure 7, et on obtient :
      
      Fig. 9. Schéma équivalent en alternatif petits signaux.
      Ce schéma est très similaire à celui de l'émetteur commun du transistor bipolaire. La différence essentielle est que le générateur de courant est commandé par la tension V_GS , et non pas par un courant i_b .
    - Gain en tension.
      Les équations sont quasiment triviales. En entrée, on a :
      
      En sortie, si on néglige , dont la valeur est très élevée vis à vis de R_D , on a :
      
      On en tire aisément le gain en tension à vide :
      
      Ce gain a une valeur relativement faible, due au fait que g ne dépasse guère la dizaine de mA/V : on aura des valeurs comprises entre 10 et 50 environ.
      On peut faire l'analogie avec le montage émetteur commun en bipolaire, dont le gain était égal à -38,5 I_Co R_C . Le terme 38,5 I_Co avait été appelé la pente du transistor. R_C a la même fonction que le R_D du montage à FET, et pour des valeurs identiques de tension d'alimentation et de courant de drain / collecteur (par exemple 1mA), leur valeur sera la même. La différence se fera donc sur la pente, soit 38,5 mA/V pour le bipolaire contre 5 mA/V en typique pour le FET.
    - Impédance d'entrée.
      La solution est triviale :
      
      On veillera à ne pas choisir une valeur trop élevée tout de même pour que la chute de tension occasionnée par le courant de fuite de la grille soit négligeable. On choisira typiquement une valeur de l'ordre de quelques M . L'avantage sur les montages à bipolaires est évident.
    - Impédance de sortie.
      On se retrouve exactement dans le même cas de figure que pour le montage émetteur commun du bipolaire. En opérant la même transformation norton-thévenin que pour ce dernier montage, on trouve :
      
      Cette valeur est moyenne, R_D valant typiquement quelques k . On ne pourra généralement pas utiliser ce montage sans un étage adaptateur d'impédance en aval.
5. UTILISATION EN RÉSISTANCE COMMANDÉE.
  Si on utilise le FET dans la zone ohmique, on peut faire varier la résistance du canal en modifiant la tension V_GS . Le FET est utilisé dans un montage potentiométrique (diviseur de tension) mettant en jeu la résistance R_DS du canal et une résistance additionnelle R.
  Sur le schéma figure 10, on remarque un réseau r-r-C reliant le drain à la grille et à la commande. On pourrait appliquer directement la tension V_C sur la grille, mais en rajoutant ce réseau, on améliore la linéarité, notamment pour des tensions V_E , donc V_S négatives : en effet, on a déjà vu que dans ce cas, la jonction grille-canal est polarisée en direct, et le FET ne travaille pas convenablement. En appliquant sur la grille la moitié de la tension alternative présente sur le drain, on améliore sensiblement la linéarité et la tension maxi d'utilisation du FET en résistance commandée. Cette tension maxi demeure faible (quelques dizaines à quelques centaines de mV).
  
  Fig. 10. Utilisation en résistance commandée.
  Cette fonction est utilisée en particulier dans des amplificateurs à commande automatique de gain (CAG), qui permettent de garantir un niveau de sortie constant avec un niveau d'entrée fluctuant (exemple : réglage automatique du niveau d'enregistrement des magnétophones à cassette audio bon marchés).
  Une autre application déduite de la fonction résistance commandée est le commutateur analogique : si on applique une tension supérieure ou égale en valeur absolue à la tension de pincement V_P sur la commande, la résistance de drain va devenir très grande (quelques M ). Si on choisit pour R une valeur moyenne (quelques dizaines de k ), la tension V_S sera quasiment égale à la tension V_E : tout le signal passe.
  Si on applique maintenant une tension nulle sur la grille, la résistance du FET sera minimum (quelques centaines d'ohms), et la tension V_S sera quasiment nulle.
  On a ainsi réalisé un commutateur analogique. Cette fonction est très utilisée sous forme de circuits intégrés et permet le multiplexage de signaux analogiques, une fonction indispensable pour les dispositifs d'acquisition de données.
6. SOURCE DE COURANT.
  
  Fig. 11. Source de courant à deux bornes.
  On a vu lors de la polarisation du montage source commune comment procéder pour obtenir un courant de polarisation de drain constant. L'ajustage de la résistance de source définit le courant de drain. Si on retire du montage source commune la résistance de drain, on se retrouve avec un dispositif à deux bornes susceptible de garantir un courant constant dans le circuit sur lequel il sera branché.
  Des circuits intégrés existent, qui comprennent le FET et sa résistance de polarisation (la résistance de grille est ici inutile), et qui peuvent servir de sources de courant préréglées. Des restrictions limitent toutefois leur usage :
  
  le composant est polarisé : le courant ne peut circuler que dans un seul sens.
  
  ce dispositif ne génère pas de courant, il le régule (comme la zéner régule une tension).
  
  la tension appliquée entre les deux bornes du composant doit être au moins supérieure à la tension V_GS de polarisation permettant le fonctionnement du FET dans sa zone de pincement.
7. DOMAINE D'UTILISATION.
  De par sa constitution, le FET à jonction n'est pas adapté du tout aux forts courants. Il va rester cantonné aux applications d'amplification et de traitement des petits signaux.
  Il est utilisé dans des montages à haute impédance d'entrée et faible bruit : préamplificateurs pour signaux de faible niveau par exemple.
  La fonction résistance commandée est beaucoup utilisée. Il y a bien sûr des restrictions d'utilisation : la portion de caractéristique ohmique est linéaire pour des faibles variations de tension (guère plus de 100mV), ce qui nécessite des précautions de mise en œuvre .
  Mais, le JFET, de par la dispersion de ses caractéristiques d'un composant à l'autre reste difficile à maîtriser dans des montages à composants discrets. On a intérêt à les trier si on désire un résultat fiable et répétable.
  Dans ces conditions, l'utilisation la plus importante qui est faite de ces transistors est l'intégration dans des composants tels les amplificateurs opérationnels : la très forte impédance d'entrée des JFET leur donne un avantage décisif par rapport aux bipolaires, et aujourd'hui, la plupart des ampli-op de qualité possèdent au minimum un étage d'entrée en JFET.
  Pour ce qui est du volet puissance, il existe un autre composant très bien adapté : le MOSFET.
LE TRANSISTOR MOS FET.
Les transistors à MOSFET reprennent plusieurs caractéristiques de FETs à jonction : ils se déclinent en deux versions, le canal N et le canal P, et les électrodes vont aussi s'appeler drain, source et grille, leur fonction étant la même que pour les JFETs.
1. LE MOSFET À CANAL INDUIT.
  1. Description.
    Dans un substrat faiblement dopé P, on insère deux zones N fortement dopées. Ces deux zones seront la source et le drain du MOSFET ; elles sont distantes d'une dizaine de µm (séparées par le substrat P). La source est généralement reliée au substrat.
    La grille n'est pas directement reliée au substrat P ; elle en est isolée par l'intermédiaire d'une très fine (quelques nm) couche d'isolant (de l'oxyde de silicium). Cette caractéristique donne son nom au MOSFET : Metal Oxyde Semiconductor.
    La grille est ainsi isolée du substrat : le courant de grille sera nul en continu.
    
    Fig. 12. Schéma de principe d'un MOSFET canal N.
  2. Principe de fonctionnement.
    Si V_GS = 0, aucun courant de drain ne passera, car le circuit source-drain est composé de deux jonctions en série, l'une PN, l'autre NP : il y en aura toujours une en inverse.
    Lorsqu'on applique une tension V_GS positive, l'électrode de grille, l'isolant et le substrat P forment un condensateur.
    
    Fig. 13. Phénomène d'inversion.
    Les électrons (porteurs minoritaires du substrat P) sont alors attirés vers la grille. Pour une tension V_GS suffisamment élevée (tension de seuil), la concentration en électrons dans le substrat est supérieure à la concentration en trous au voisinage de la grille ; on a alors une couche N dite couche d'inversion entre les zones N de la source et du drain. Les deux jonctions disparaissent, on n'a plus qu'un canal N, et le courant peut passer entre drain et source.
    Mais, pour une tension V_DS supérieure à V_GS , on annule la tension grille-drain, et donc l'effet condensateur : on a un phénomène de pincement du canal induit N comme pour le JFET. Le courant de drain tend alors vers une valeur constante, de la même manière que pour le JFET.
    Ce mode de fonctionnement est appelé à enrichissement , car une tension V_GS positive enrichit le canal en porteurs minoritaires, permettant le passage du courant.
  3. Caractéristiques.
    
    Fig. 14. Caractéristique de sortie du MOS canal N.
    La caractéristique de sortie est similaire à celle d'un JFET, sauf que le courant de drain pourra atteindre plusieurs ampères pour des composants de puissance. On note la zone en fonctionnement ohmique, tout à fait similaire à celle des JFETs, et permettant les mêmes applications.
    La caractéristique de transfert a la forme suivante :
    
    Fig. 15. Caractéristique de transfert du MOS canal N.
    Cette caractéristique de transfert est appelée la transconductance du MOS, et est exprimée en siemens (S). Pour des MOS de puissance, elle vaut plusieurs siemens (1 à 10 typiquement), soit des valeurs beaucoup plus importantes que pour les JFETs (quelques mS).
    La tension de seuil atteint plusieurs volts (1 à 3 typique). Ce seuil varie avec la température.
2. LE MOSFET À CANAL INITIAL.
  1. Description du principe de fonctionnement.
    Le MOSFET à canal initial a la même structure que le MOS à canal induit, avec en plus, un canal faiblement dopé N entre la source et le drain.
    Pour V_GS nulle, Ce transistor fonctionne comme un JFET : un courant de drain pourra circuler ; quand V_DS augmente, un phénomène de pincement se produit, qui obstrue le canal : le courant de drain devient constant.
    Si V_GS est inférieure ou égale à 0, on accélère le pincement (le condensateur formé par la grille, l'isolant et le canal attire des trous dans le canal initial qui neutralisent les électrons de cette zone N) : on fonctionne en régime d'appauvrissement.
    Au contraire, pour V_GS supérieure à 0, on retrouve le fonctionnement du MOS à canal induit, et le courant de drain va croître.
    
    Fig. 16. MOSFET N à canal initial..
  2. Caractéristiques.
    La caractéristique de transfert est la suivante :
    
    Fig. 17. Caractéristique de transfert d'un MOS à canal initial
3. UTILISATION DES MOSFETs.
  De par leur constitution, les transistors MOS sont très fragiles, notamment au niveau de la grille. Les décharges électrostatiques sont à proscrire, car elles peuvent casser le composant, ou pis, l'endommager sans que ses caractéristiques ne changent : c'est la fiabilité qui est compromise.
  1. MOSFET de puissance.
    Les MOS servent beaucoup en commutation de puissance, car ils sont très rapides et commandables en tension. On notera toutefois qu'à fréquence élevée, la grille formant un condensateur avec le substrat, elle ne présente plus une impédance infinie, comme en statique !
    Quand ils sont passants, ils fonctionnent dans la zone ohmique, et leur caractéristique essentielle est, avec la tension V_DS maxi, la résistance R_DS , qui peut être aussi basse qu'une dizaine de m.
  2. Intégration dans les composants numériques.
    La technologie MOS se prête très bien à l'intégration à grande échelle : elle permet de réaliser des composants logiques consommant très peu de courant, et permet ainsi un très grand niveau d'intégration (exemple : mémoires, microprocesseurs, circuits logiques divers ) Les transistors MOS sont utilisés ici en commutation.

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